ReferatWorld.ru
» » » Конструирование микросхемы, разработка топологии
Вернуться назад

Конструирование микросхемы, разработка топологии

I. Анализ электрической схемы

Расчёт мощностей рассеяния Pi

Для упрощения расчётов Pi резисторов R4 , R5 , R8 , R9 , R10 , R12 и R19 преобра­зу­ем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем токи в контурах эк­ви­валентной схемы рис.2 методом контур­ных токов.

I111 (R4 +R19 +R8 +R12 )-I222 (R19 +R12 )-I444 R4 =0

I222 (R19 +R12 +R10 )-I111 (R19 +R12 )-I333 R10 =0

I333 (R10 +R5 +R9 )-I222 R10 -I444 R5 =0

I444 (R4 +R5 )-I111 R4 -I333 R5 =E


= 111059850000 – 49237209000 – 11055924000 = 50766717000


= 345450 + 16405950 = 16751400 ;

I111 = = 0,000329968 A



= 775500 + 16250850 = 17026350 ;

I222 = = 0,000335384 A

= 25030500 – 10804500 + 11399850 = 25625850 ;

I333 = = 0,00050478 A


= 164059500 – 72390150 = 91669350 ;

I444 = = 0,0018057 A

Зная контурные токи, мы можем рассчитать:

I4 = I444 – I111 = 0,0018057 - 0,000329968 = 0,001475732 A

I5 = I444 – I333 = 0,0018057 - 0,00050478 = 0,00130092 A

I8 = I111 = 0,000329968 A

I9 = I333 = 0,00050478 A
I10 = I333 – I222 = 0,00050478 - 0,000335384 = 0,000169396 A
I12 = I1 9 = I222 – I111 = 0,000335384 - 0,000329968 = 0,000005416 A

Теперь рассчитываем токи на остальных резисторах:



Для расчёта тока на резисторах R11 , R13 и R14 представимконденсатор на 9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только имеем на схеме УПЧ и схеме его включения (Rдобавочное =22000+22000=44000 Om см. паспорт МС), т.е.:



Для более точного подсчёта I15 – I18 подробнее рассмотрим транзистор V1:


где b - коэффициент передачи тока (bКТ31 7 А @70)


II. Разработка маршрутного технологического процесса изготовления микросхемы.

Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие зазора между под­ложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образо­ванию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается жёсткость маски и увеличивает­ся её «провисание» над подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости.

Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной вакуумной камере в непрерывном процессе. Для сублимации применяют резистивный испаритель, покрытый гальваническим слоем сублимируемого вещества либо стержень из спрессованного и спёченного порошка сублими­ру­емо­го вещества, а вещества, плохо взаимодействующие с тугоплавкими мате­риалами испаряют из жидкого состояния. Напыления ведут на подогретые под­ложки, температуру кото­рых регулируют изменением тока нагревателя. При достижении требуемой температуры подложек испаритель подводят на позицию испарения и подают на него напряжение. При нагреве испарителя вакуум в камере ухудшается, так как с поверхности испарителя происходит выделение газов. После окончания газовыделения и восстановления вакуума открывают заслонку и напыляют пленку сублимируемого вещества. При достижении требуемой толщины плёнки заслонку закрывают, на позицию переводят следую­щую подложку и так процесс продолжают для напыления плёнки на все подлож­ки.

Нанесение Нанесение проводников

резистивного слоя и контактных площадок


Маска


Подложка


III. Расчёт геометрических размеров плёночных элементов.

Прежде всего, для расчёта геометрических размеров резисторов нужно найти мощность P, рассеиваемую каждым резистором.Рассеиваемая мощность на резисторе находится по формуле:

(1), где i – номер элемента.

Применяя формулу (1) найдём Pi для каждого резистора (см. таблицу 1).

Так как резисторы R1 , R5 , R7 , R9 , R10 , R14 , R15 , R18 меньше 1000 Ом, то размещать их будем на другом слое.

Теперь, для того, чтобы выбрать материал, из котор

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать
Рефераты по технологии I. Анализ электрической схемы Расчёт мощностей рассеяния Pi Для упрощения расчётов Pi резисторов R4 , R5 , R8 , R9 , R10 , R12 и R19
Оценок: 1000 (Средняя 5 из 5)

Одними из наиболее популярных услуг на рынке IT-технологий являются создание и продвижение лендингов. Они способны положительно влиять на деятельность любого бизнес-проекта в интернете. Судя по многочисленным отзывам, заказавшие создание лендингов люди ни разу не пожалели о потраченных деньгах. Они вложили в будущее, которое неразрывно связано с интернетом. Всё больше и больше предпринимателей обращаются к услугам разных агентств, веб-студий, чтобы заказать создание лендинга у профессионалов.

© 2017 - 2022 ReferatWorld.ru