Розрахунок номіналів компонентів електронних схем

Національний технічний університет

України “КПІ”

Кафедра Фізичної та біомедичної електроніки

КУРСОВА РОБОТА

з курсу Аналогова схемотехніка

тема Розрахунок номіналів компонентів електронних схем

Зміст

1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах

1.1 Початкові дані

1.2 Методика розрахунку

1.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів

2. Активні RC–фільтри нижніх частот

2.1 Початкові дані

2.2 Методика розрахунку

2.3 Кінцеві схеми з вказаними номіналами елементів

3. RC–генератори

3.1 Початкові дані

3.2 Методика розрахунку

3.3 Кінцева схема з вказаними номіналами елементів

Висновки

1. Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах

1.1 Початкові дані

Рис 1.1 Підсилювальні каскади на біполярних транзисторах,,включені за схемою: а) з загальним емітером; б) з загальною базою

Табл. 1

№ Варіанту	Схема включення	fH, Гц	fв, кГц	Мн=Мв	RH, кОм	U2m, В	Тип транзистора
1	ЗЕ , ЗБ	100	120	1,1	18	2	МП39

Для даних схем включення і у відповідності з номером варіанта був вибраний транзистор МП39. Це германієвий сплавний транзистор p-n-p типу. Призначений для використання в каскадах підсилення напруги проміжної та низької частоти, імпульсних та інших пристроях радіоелектронної апаратури широкого використання. Випускаються в металоскляному корпусі з гнучкими виводами.

Рис.1.1. Транзистор МП39

В таблиці 2 представлені основні характеристики вибраного транзистора.

Табл. 2. Основні характеристики транзистора МП39

Параметри	Режим вимірювання	Значення параметрів
h21Э	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С	12
IКБО, мкА	Uкб=5 В, Θокр=200 С	15
	Θокр=700 С	≤400
fh21Э, МГц	Uкб=5 В, IЭ=1 мА	0.5
h11Б ,Ом	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц	25
h22Б , мкСм	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц	3,3
Cк, пФ	Uкб=5 В, f=465 кГц	60
Iк доп, мА	Uкб=5 В, IЭ=1 мА, f=1 кГц , Θокр=200 С	40

Табл.3. Гранично допустимі експлуатаційні дані транзистора МП39

Параметри	Режим вимірювання	Значення параметрів
UКЭ max , B	RбЭ=200 Ом, Θокр =400 С	15
UКБ max , B	-600 С ≤Θокр≤400 С	10
IК max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	40
IК нас max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	150
IЭ нас max , мА	-600 С ≤Θокр≤700 С	150
PК max , мВт	-500 С ≤Θокр≤550 С	150
Θпер max , 0 С	-	85

1.2 Розрахунок параметрів для схеми з ЗЕ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу і смуги пропускання при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень в області верхніх частот :

Вибираємо (для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора R_K ^ОЭ , і допустима ємність конденсатора навантаження C_н.доп. обираються з умови

На сімействі вихідних характеристик транзистора побудуємо лінію навантаження по постійному струму і визначимо положення точки спокою (U_кэ ^A , I_к ^A , I_б ^A ) для режиму класа А. На сімействі вхідних характеристик транзистора по I_б ^A визначається напруга початкового зміщення U_бэ ^A .

Рис. 1.2 Сімейство вхідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А - обрана робоча точка).

Рис. 1.3 Сімейство вихідних характеристик транзистора МП39 схеми з ЗЕ (А- обрана робоча точка).

При заданих Е₁ =-10 В маємо U_кэ ^A =- 5 В, I_к ^A = 20 мА, I_б ^A = 500 мкА,

I_э ^A = I_к ^A +I_б ^A =20,5 мА , U_бэ ^A =-0.27 В.

Опір резисторів забезпечуючих початкове зміщення фіксованим струмом бази:

Емність розподільчих конденсаторів С₁ , С₂

1.3 Розрахунок параметрів для схеми з ЗБ

Транзистор обирається з вимоги забезпечення необхідної амплітуди вихідного сигналу і смуги пропускання при заданій вихідній напрузі та коефіцієнті частотних спотворень в області верхніх частот :

Вибираємо (для p-n-p транзистора живлення набуває від`ємного значення )

Опір резистора і доп

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать