Расчет основных формул по основам электроники

КУРСОВАЯ РАБОТА

по дисциплине

« ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ»

Вариант 28

Чита

2009

Исходные данные

0,78

0,04

0,035

0, 2

0, 6

1500

700

2 50

Физические и математические постоянные:

1. Постоянная Планка

2. Элементарный заряд

3. Масса покоя электрона

4. Постоянная Больцмана

5. Число пи

6. Число е

7. Электрическая постоянная

1. Рассчитать температурную зависимость концентрации равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Исходные формулы:

а) Получение расчетной формулы

Пример:

б) Результаты расчетов представил в таблице 1.

Таблица 1.

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике.

T	T^3/2	1/T	KT	n0	lnn0
75	649,5190528	0,013333333	0,006463	0,003973436	-5,528124115
100	1000	0,01	0,008617	21789,62053	9,989189013
120	1314,534138	0,008333333	0,010341	54057905,69	17,80556636
150	1837,117307	0,006666667	0,012926	1,42581E+11	25,68317669
200	2828,427125	0,005	0,017235	4,14293E+14	33,65759481
300	5196,152423	0,003333333	0,025852	1,43642E+18	41,80868748
400	8000	0,0025	0,03447	9,60747E+19	46,0116581
500	11180,33989	0,002	0,043087	1,2904E+21	48,60924193

в) Построил график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах .

График 1

г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение tg α, найти ширину запрещенной зоны полупроводника ∆Е, сравнить с исходным значением ∆Е. Найти погрешность δ(∆Е).

2. Рассчитать температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике

Расчетная формула:

а) результаты расчетов представил в таблице 2

Зависимость Ef ( T ) в собственном полупроводнике

Таблица 2

T,K	KT,эВ	Ef,эВ	Ef/Ef0*100%
100	0,008617375	0,397100366	101,8206066
200	0,01723475	0,404200731	103,6412132
300	0,025852126	0,411301097	105,4618198
400	0,034469501	0,418401463	107,2824264
500	0,043086876	0,425501829	109,103033

б) Построил график 2 «Зависимость Ef ( T ) в собственном полупроводнике

График 2

3. Рассчитать температуры ионизации донорной примеси Т s и ионизации основного вещества Т i в полупроводнике n тока методом последовательных приближений. В качестве начальных температур использовать значения Ti =400 К , Ts =50 К

Расчетные формулы:

Таблица 3.

N приближ.	1	2	3	4	5	6
Ti, K	400	986,0672473	761,51462	814,6480626	800,077865	803,9251818
Nc*10E+25,	0,345561057	1,337502517	0,907720567	1,004361024	0,977536968	0,984596428
Nv*10E+25	1,795587925	6,949866942	4,716654422	5,218812967	5,079431084	5,116113117

10	11
803,1185939	803,1134442
0,983115014
5,108415461

Таблица 4.

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать Курсовые работы по коммуникации и связиКУРСОВАЯ РАБОТА Расчет основных формул по основам электроники по дисциплине « ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ» Вариант 28 Чита 2009 Исходные

Оценок: 1000 (Средняя 5 из 5)

Одними из наиболее популярных услуг на рынке IT-технологий являются создание и продвижение лендингов. Они способны положительно влиять на деятельность любого бизнес-проекта в интернете. Судя по многочисленным отзывам, заказавшие создание лендингов люди ни разу не пожалели о потраченных деньгах. Они вложили в будущее, которое неразрывно связано с интернетом. Всё больше и больше предпринимателей обращаются к услугам разных агентств, веб-студий, чтобы заказать создание лендинга у профессионалов.

N приближ	1	2	3	4	5	6	7	8	9
Ts,K	50,000	346,476	109,388	184,635	140,692	160,530	150,249	155,238	152,735
Nc*10E+23	1,527	27,858	4,942	10,837	7,208	8,786