Термины и определения
ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)
Физические элементы полупроводниковых приборов
Электрический переход (Переход, ElektrischerUbergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).
Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.
Электронно-электронный переход (n‑n+ переход, n‑n+ ‑Ubergang, N‑N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Дырочно-дырочный переход (p‑p+ переход, p‑p+ ‑Ubergang, P‑P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.
Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.
Резкий переход (SteilerUbergang, Abruptjunction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.
Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.
Плавный переход (StetigerUbergang, Gradedjunction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.
Плоскостной переход (Flachenubergang, Surfacejunction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.
Точечный переход (Punktubergang, Point-contactjunction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.
Диффузионный переход (DiffundierterUbergang, Diffusedjunction) – электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.
Планарный переход (Planarubergang, Planarjunction) – диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.
Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversionjunction) – электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.
Сплавной переход (LegierterUbergang, Alloyedjunction) – электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.
Микросплавной переход (MikrolegierterUbergang, Micro-alloyjunction) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.
Выращенный переход (GezogenerUbergang, Grownjunction) – электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.
Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxialjunction) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.
Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenousjunction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.
Гомогенный переход (гомопереход, HomogenerUbergang, Homogenousjunction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.
Переход Шоттки (SchottkyUbergang, Schottkyjunction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifyingjunction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.
Омический переход (OhmischerUbergang, Ohmicjunction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.
Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitterjunction) – электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
Коллекторный переход (Kollektorubergang, Collectorjunction) – электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.
Дырочная область (p‑область, Defektelektronengebiet, P‑region) – область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.
Электронная область (n‑область, Elektronengebiet, N‑region) – область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.
Обла
Одними из наиболее популярных услуг на рынке IT-технологий являются создание и продвижение лендингов. Они способны положительно влиять на деятельность любого бизнес-проекта в интернете. Судя по многочисленным отзывам, заказавшие создание лендингов люди ни разу не пожалели о потраченных деньгах. Они вложили в будущее, которое неразрывно связано с интернетом. Всё больше и больше предпринимателей обращаются к услугам разных агентств, веб-студий, чтобы заказать создание лендинга у профессионалов.