ReferatWorld.ru
» » » Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
Вернуться назад

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Государственный комитет РФ по высшему образованию

Новгородский Государственный университет

им. Ярослава Мудрого


Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

”РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ

И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”

Пояснительная записка

к курсовой работе

по дисциплине

”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”

Выполнил

Студент группы 7033у

Н.Е.Родин

Проверил

Преподаватель кафедры ФТТМ

Б.М.Шишлянников

1998

Техническое задание

на курсовую работу по дисциплине

«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»

Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.

1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

материал кремний

примеси - Ga,P и Sb

исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)

Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин .

2. Проанализировать бинарную диаграмму состоянияSi -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.

Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:

· при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии –30 мин .

· при температуре 950 о С ; время диффузии –30 мин .

· после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 о С и времени диффузии –30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 о С , время 2 часа .

Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.

Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников

Студент .....................................................Н.Е. Родин

Реферат.

В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,Pи Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.

Содержание.

Введение………………………………………………………………… 5
1. Расчетная часть……………………………………………………….. 6
1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… 6
1.2 Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)………………………..

10
1.2.1 Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… 10
1.2.2 Расчет распределенияSi-P……………………………………………... 13
1.2.3 Расчет распределенияSi-Sb……………………………………………. 14
1.3 Распределение примесей после диффузии……………………………. 18
1.3.1 Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)………………..

21
1.3.2 Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело…………………………………………………..

22
1.3.3 Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей………………………………………………….

24
1.3.4 Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей……………………

25
1.4 Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. 28
1.4.1 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин………

28
1.4.2 Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин……………….

29
1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950О С и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150О С, время 2 часа……………………….

30
Заключение…………………………

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать Рефераты по химии Государственный комитет РФ по высшему образованию Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела
Оценок: 1001 (Средняя 5 из 5)

Одними из наиболее популярных услуг на рынке IT-технологий являются создание и продвижение лендингов. Они способны положительно влиять на деятельность любого бизнес-проекта в интернете. Судя по многочисленным отзывам, заказавшие создание лендингов люди ни разу не пожалели о потраченных деньгах. Они вложили в будущее, которое неразрывно связано с интернетом. Всё больше и больше предпринимателей обращаются к услугам разных агентств, веб-студий, чтобы заказать создание лендинга у профессионалов.

© 2017 - 2022 ReferatWorld.ru