ReferatWorld.ru

Генератор на микросхеме

Функциональный генератор, описы­ваемый в этой статье, построен на микросхеме КР580ГФ24, предназначен­ной для тактирования микропроцессора КР580ВМ80. К до­стоинствам генератора относится спо­собность работать на частотах до 20 МГц, при этом хорошая форма тре­угольного напряжения сохраняется до частоты примерно 5 МГц. Недостатком генератора является некоторое изме­нение амплитуды треугольного напря­жения (не более чем в 1,2 раза) при регулировке частоты (с неизменной времязадающей емкостью).

К возможности построения функцио­нального генератора на микросхеме КР580ГФ24 привело исследование формы колебаний на ее выводах XTAL1 и XTAL2, предназначенных для подклю­чения резонатора, вместо которого установлен конденсатор.

Осциллограммы напряжения на выво­дах XTAL1 и XTAL2 приведены на рис. 1, там же представлена и осциллограмма сигнала OSC. Масштаб по горизонта­ли — условный, так как период колеба­ний зависит от емкости конденсатора (при 0,1 мкФ примерно 0,45 мс).

Колебания, формируемые на выво­дах XTAL1 и XTAL2 микросхемы DD1, поступают на вход дифференциально­го усилителя, состоящего из транзи­сторной сборки VT2 и источника тока на транзисторе VT3. Интервал линей­ного усиления входных сигналов рас­ширен благодаря введению в эмиттерные цепи транзисторов VT2.1 и VT2.2 резисторов R12 и R14 [3]. Дифферен­циальный каскад усиливает сигнал при­мерно в 1,3 раза.

Выход дифференциального усилите­ля подключен к входу эмиттерного повторителя на транзисторе VT4. Кроме того транзистор VT4 совместно с резис­тором R19 и источником тока на транзи­сторе VT5 образуют узел сдвига уровня [4], необходимый для устранения постоянной составляющей выходного напряжения. Величина сдвига регули­руется изменением тока транзистора VT5 подстроечным резистором R22 или подбором резистора R19. Для облегче­ния прохождения высокочастотных составляющих резистор R19 зашунти- рован конденсатором С10.

К выходу узла сдвига уровня подклю­чен составной эмиттерный повторитель на транзисторах VT6 и VT7 разной структуры. Сдвиг уровня, вносимый этим каскадом, близок к нулю. Для сни­жения мощности, рассеиваемой тран­зистором VT7, его коллектор подключен к источнику +5 В (а не к источнику +12 В). На высокоомной нагрузке обес­печивается размах напряжения около 2,5 В, а на нагрузке 50 Ом — 1,7 В.

С выхода OSC микросхемы DD1 можно снимать импульсы прямоуголь­ной формы ТТЛ уровня с частотой гене­ратора и скважностью 2, а с выхода Ф2ТТL — импульсы ТТЛ уровня часто­той, в 9 раз меньшей частоты генерато­ра, и скважностью 9/5.

Регулировка частоты генератора осуществляется посредством управле­ния двумя идентичными источниками тока, выполненными на транзисторах сборки VT1. Регулируя напряжение на соединенных базах VT1 (резистором R3), можно изменять ток их коллекто­ров, складывающийся внутри микро­схемы DD1 с током ее внутренних источников GI1 и GI2 (см. рис. 2). Тем самым достигается изменение частоты генератора в несколько десятков раз.

Резисторы R4 и R10 снижают мощ­ность, рассеиваемую транзисторами сборки VT1, и ослабляют влияние емко­сти коллектора этих транзисторов на работу генератора.

Цепь R6R7R9 предназначена для регулировки симметрии напряжения треугольной формы при нулевом токе коллектора транзисторов сборки VT1. Необходимость в такой регулировке вызвана тем, что часто попадаются эк­земпляры микросхемы КР580ГФ24 с заметным неравенством длительности нарастающей и спадающей частей тре­угольного напряжения.

Резисторы R8, R16, R18, R20, R24 в базовых цепях транзисторов VT1.1, VT1.2, VT3, VT5—VT7 предотвращают паразитную генерацию.

Стабилитрон VD1 — стабилизатор образцового напряжения для источни­ков тока на транзисторной сборке VT1, а VD2 — для источников тока на транзи­сторах VT3и VT5.

Стабилитрон VD3 снижает мощность, рассеиваемую транзистором VT6, и уменьшает напряжение между коллек­тором и эмиттером этого транзистора.

Напряжение +12 В на вывод 9 DD1 не подано, поэтому питаемые этим напря­жением формирователи выходных им­пульсов этой микросхемы не работают. Это сделано для того, чтобы устранить искажения треугольного напряжения из-за паразитных связей внутри микросхемы на высших генерируемых частотах.

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать
Рефераты по промышленности и производству Функциональный генератор, описы­ваемый в этой статье, построен на микросхеме КР580ГФ24, предназначен­ной для тактирования микропроцессора КР580ВМ80.
Оценок: 1003 (Средняя 5 из 5)

Одними из наиболее популярных услуг на рынке IT-технологий являются создание и продвижение лендингов. Они способны положительно влиять на деятельность любого бизнес-проекта в интернете. Судя по многочисленным отзывам, заказавшие создание лендингов люди ни разу не пожалели о потраченных деньгах. Они вложили в будущее, которое неразрывно связано с интернетом. Всё больше и больше предпринимателей обращаются к услугам разных агентств, веб-студий, чтобы заказать создание лендинга у профессионалов.

© 2017 - 2022 ReferatWorld.ru