Германієвий дрейфовий транзистор

Міністерство освіти і науки України

Вінницький національний технічний університет

Інститут автоматики, електроніки та комп’ютерних систем управління

Факультет ФЕЛТ

Кафедра електроніки

Германієвий дрейфовий транзистор

( n - p - n )

Курсова робота

з дисципліни “Твердотіла електроніка”

Керівник, асистент ____________________ Мельничук О.М.

Студент. гр. ЕП-07 ____________________ Богачов Ю.Ю.

2009

Зміст

Технічне завдання

Анотація

Вступ……………………………………………………………………

1. Аналіз стану питання………………………………………………..

2. Фізика роботи………………………………………………………..

2.1 Принцип дії та основні параметри.............................................

2.2 Вплив режимів роботи на параметри транзисторів..................

2.3 Представлення транзистора у вигляді чотириполюсника........

3. Методика розрахунку.........................................................................

4. Технологія виготовлення....................................................................

Висновки..................................................................................................

Література................................................................................................

Додатки....................................................................................................

АНОТАЦІЯ

В даній курсовій роботі розглянуто принцип роботи n-p-n транзистора; проведено розрахунок електричних параметрів, максимальної робочої частоти, знаходження вихідних характеристик, передаточної характеристики та її крутизну в області насичення за заданими розмірами; до кожного розрахунку розроблено програму мовою програмування Delphi 6.0; проведено тепловий розрахунок транзистора.

ВСТУП

Бурхливий розвиток напівпровідникової електроніки почалося наприкінці 50-х років. В даний час без напівпровідникової електроніки немислиме освоєння космосу й океанських глибин, атомна і сонячна енергетика, радіомовлення і зв'язок, комп'ютеризація й автоматизація, дослідження живих організмів.

Напівпровідникова електроніка вивчається у декількох курсах: фізика напівпровідників, фізика напівпровідникових приладів, мікроелектроніка, технологія напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем. Курс фізики напівпровідникових приладів є власне кажучи фізичною основою мікроелектроніки і поділ між дискретними приладами і мікроелектронікою дуже умовний.

В перші роки свого розвитку інтегральні мікросхеми складалися з ізольованих дискретних елементів, створюваних в одному кристалі і з'єднувальних металевих смужках по поверхні. Їхній сучасний розвиток характеризується використанням об'ємних зв'язків, при яких елементи мають загальну базу і сигнал передається шляхом переносу носіїв заряду з бази одного елемента в базу іншого. Ланцюг елементів із загальною базою вже не можна представити у виді дискретних приладів, а необхідно розглядати як єдиний напівпровідниковий прилад, що виконує функції цілої схеми з дискретних елементів.

Біполярний транзистор - основний напівпровідниковий прилад, що служить для підсилення, генерування, збереження і передачі інформації не тільки в інтегральних схемах, але й в інших пристроях електроніки. Транзистор був винайдений у 1947 р. Теоретичні основи його роботи були опу­бліковані Шоклі в 1949 р. При наступному розвитку теорії транзисторів розроблялися питання підвищення робочих частот, потужності, поводжен­ня транзисторів у режимах перемикання. Одночасно з розвитком теорети­чних основ швидко удосконалювалася технологія виробництва транзисто­рів, що дозволило збільшити потужність, поліпшити частотні властивості, підвищити їхню надійність. Крім того, дослідження в області фізики на­півпровідників, теорії і технології транзисторів не тільки сприяли розвитку інших напівпровідникових приладів, але і допомогли створенню новітньої технології інтегральних схем.

Біполярні транзистори використовуються в космічних апаратах, обчис­лювальних машинах, засобах зв'язку в пристроях автоматики, оптоелект­роніки й інших галузях.

Фундамент сучасної радіоелектронної апаратури складають великі і над великі інтегральні схеми, при цьому основним елементом інтегральних схем є транзистор. Тому вивчення фізичних процесів, які відбуваються в транзисторних структурах дає можливість зрозуміти роботу транзисторів, правильно їх конструювати і застосовувати на практиці [1].

Темою курсової роботи є дрейфовий германієвий n-p-n транзистор.

Метою даної курсової роботи є дослідження фізичних процесів та роботи дрейфового германієвого n-p-n транзистора, визначення основних теоретичних залежностей, які показують зв'язок головних характеристик приладів з електрофізичними параметрами напівпровідникових матеріалів.

1 АНАЛІЗ СТАНУ ПИТАННЯ

ТРАНЗИСТОР — напівпровідниковий прилад, призначений для посилення електричного струму і керування ним. Транзистори випускаються у виді дискретних компонентів в індивідуальних корпусах або у виді активних елементів так званих інтегральних схем, де їхні розміри не перевищують 0,025 мм. У зв'язку з тим що транзистори дуже

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать