на тему “программное обеспечение для моделирования элионных технологий” 5

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ВЫПУСКНАЯ РАБОТА ПО

“ОСНОВАМ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ”

магистрант кафедры интеллектуальных систем факультета рафиофизики и электроники

Леонтьев Ю. А.

руководитель

к.ф.- м.н., доцент каф. интеллект. систем

Садов В.С.

старший преподаватель

Кожич П.П.

МИНСК 2010

ОГЛАВЛЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ. 2

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ КО ВСЕ ВЫПУСКНОЙ РАБОТЕ. 3

РЕФЕРАТ НА ТЕМУ “ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ” 4

ВВЕДЕНИЕ. 4

ГЛАВА 1. МЕТОД МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.. 6

1.1 История метода Монте-Карло. 6

1.2 Основной принцип реализации метода Монте-Карло. 7

1.3 Генераторы случайных чисел. 8

1.4 Используемая физическая реализация метода Монте-Карло. 9

ЗАКЛЮЧЕНИЕ. 18

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К РЕФЕРАТУ. 19

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ К РЕФЕРАТУ. 20

ИНТЕРНЕТ РЕСУРСЫ В ПРЕДМЕТНОЙ ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЯ. 21

ДЕЙСТВУЮЩИЙ ЛИЧНЫЙ САЙТ В WWW (ГИПЕРССЫЛКА). 22

ТЕСТОВЫЕ ВОПРОСЫ ПО ОСНОВАМ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ.. 23

ГРАФ НАУЧНЫХ ИНТЕРЕСОВ. 24

ПРЕЗЕНТАЦИЯ МАГИСТРСКОЙ ДИССЕРТАЦИИ.. 25

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К ВЫПУСКНОЙ РАБОТЕ. 26

ПРИЛОЖЕНИЕ А.. 28

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ КО ВСЕ ВЫПУСКНОЙ РАБОТЕ

В дипломной (курсовой) работе используются следующие термины

с соответствующими определениями:

Microsoft .NET – программная технология, предназначенная для создания как обычных программ, так и веб-приложений.

Microsoft DirectX – это набор API функций, разработанных для решения задач, связанных с игровым и видеопрограммированием под Microsoft Windows.

C# – язык программирования, сочетающий объектно-ориентированные и аспектно-ориентированные концепции. Относится к семье языков с C-подобным синтаксисом. Язык имеет строгую статическую типизацию, поддерживает полиморфизм, перегрузку операторов, указатели на функции-члены классов, атрибуты, события, свойства, исключения.

SRIM – Stopping and Ranges Ions in Matter.

TRIM – Transport and Range Ions in Matter.

РЕФЕРАТ НА ТЕМУ “ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ” ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время математическое моделирование играет огромную роль в микроэлектронике. Достигнут тот уровень интеграции, при котором чисто экспериментальный подход к оптимизации конструкции элементов интегральных схем (ИС) и технологии их производства, представляющий собой по сути дела метод проб и ошибок, стал совершенно неприемлемым. Элементы современных СБИС и УБИС обладают микронными и субмикронными характерными размерами, а толщины образующих их слоев составляют сотни и десятки ангстрем. Интеллектуальные материалы и технологии начинают широко внедрятся в микро- и наноэлектронику. Программное обеспечение современных технологических процессов постоянно совершенствуется в связи с непрерывным уменьшением размеров элементов интегральных схем. Происходит переход от 1D к 2D и 3D моделям. Возрастающие при этом математические сложности требуют разработки более эффективных алгоритмов моделирования технологических процессов.

Одной из важнейших технологических операций, используемых при изготовлении СБИС, является ионная имплантация, заключающаяся во внедрении заряженных частиц высокой энергии (10..1000 кэВ) в полупроводниковые материалы. Для корректного описания профиля пространственного распределения внедренной примеси необходимо уметь рассчитывать функцию распределения. Функцию распределения можно восстановить, определив первые четыре ее центральных момента (решение обратных кинетических уравнений) или, непосредственно получить, используя метод Монте-Карло (МК) используемый для моделирования ионного легирования и физического распыления металлов, полупроводников и диэлектриков уже более двадцати лет. Причем, в последнее время он получает все большее распространение в связи с гигантским скачком в производительности современных ПЭВМ, что отводит на второй план его основной недостаток − огромный объем вычислений. Главное достоинство расчета методом Монте-Карло состоит в том, что он позволяет учитывать любой физический процесс непосредственно. Например, локальные и нелокальные неупругие потери энергии, энергию связи между различными атомами, замещающие столкновения и так далее. Кроме того, можно получить точные решения для многокомпонентных и многослойных мишеней сложной геометрии, что позволяет моделировать реальное взаимодействие плазмы со стенкой камеры ядерного реактора; современные технологические процессы производства СБИС, включая ионную имплантацию; физическое распыление; осаждение пленок и диффузию примесей.

Наиболее известными программами, реализующими метод МК в применении к задачам ионного легирования, являются TRIM(SRIM) [1,2] и Geant [3,4]. Названные программные комплексы ориентированы на проведение демонстрационных расчетов, их исходные коды закрыты и пользователи используют их как черные ящики. При этом, постоянно обнаруживают существенные расхождения в экспериментальных и расчетных значениях, что приводит авторов к поиску ошибок в программных кодах.

Целью настоящей работы является разработка

Внимание, отключите Adblock

Вы посетили наш сайт со включенным блокировщиком рекламы!
Ссылка для скачивания станет доступной сразу после отключения Adblock!

Скачать